جامعة البصرة تنظم محاضرة علمية عن ( دراسة نظرية للخصائص الالكترونية والمغناطيسية لحجم وسطوح سبيكة هيوسلر التامة Sc2CrSi بالإضافة الى الحد الفاصل (Sc2CrSi/HgTe (111)
تاريخ النشر : 2021-03-10 06:46:15
عدد المشاهدات : 61
Disable Preloader
نظمت كلية التربية للعلوم الصرفة في قسم الفيزياء في جامعة البصرة محاضرة علمية عن ( دراسة نظرية للخصائص الالكترونية والمغناطيسية لحجم وسطوح سبيكة هيوسلر التامة Sc2CrSi بالإضافة الى الحد الفاصل Sc2CrSi/HgTe (111))
وهدفت المحاضرة
ان الهدف من الدراسة هو اكتشاف سبائك هيوسلر جديدة تحقق الخاصية نصف المعدنية التي لها استقطاب برم عالي لما لها من تطبيقات واسعة في أجهزة الكترونيات البرم.
وتضمنت المحاضرةالتي قدمها الطالب الدكتوراه (حسن ابراهيم عسكر) في هذه المحاضرة تم تقديم توضيح للخصائص الالكترونية والمغناطيسية للتركيب الحجمي لمركب هيوسلر التام Sc2CrSi عند ثابت شبيكة الاتزان (a=6.39A) باستعمال نظرية دالة الكثافة DFT مع تقريب الانحدار المعمم GGA المندرجة في برنامج كذلك تمت دراسة الاسطح (111) ، (001), (110) بالإضافة الى الحد الفاصل Sc2CrSi/HgTe (111) الذي له أربعة اشكال هي:
(Sc1-Hg , Sc1-Te , Si-Hg , Si-Te)
واستنتجت المحاضرة
المركب Sc2CrSi يحقق الخاصية نصف المعدنية عند ثابت الشبيكة (a=6.39A) بفجوة طاقة مقدارها (0.544 eV) عند قناة البرم العليا.و السطح (111) يحقق الخاصية نصف المعدنية عند النهايتين (Sc1 , Si) كذلك السطح (001) يحقق الخاصية عند النهاية (Sc2Si).
وتتحطم الخاصية نصف المعدنية عند السطح (111) للنهايتين (Sc2 , Cr) وتتحطم عند النهاية (Sc1Cr) للسطح (001) وكذلك تتحطم عند السطح (110) الذي له نهاية واحدة فقط هي (Sc1Sc2CrSi).
وتحطمت الخاصية نصف المعدنية عند الحد الفاصل لجميع الاشكال المحتملة الأربعة لكن تم الحصول على اعلى استقطاب برم للشكل (Sc1-Hg) بمقدار 93%.
