محاضرة علمية بجامعة البصرة عن تحضير أغشية رقيقة من احد أشباه الموصلات العضوية ودراسة خواصها الكهربائية

عقدت كلية التربية للعلوم الصرفة بقسم الفيزياء في جامعة البصرة محاضرة علمية عن (تحضير أغشية رقيقة من احد أشباه الموصلات العضوية ودراسة خواصها الكهربائية مع بعض المضافات واستخدامها في تحضير ترانزستور تأثير المجال ودراسة خواصه) وتناولت المحاضرة للباحث ناظم عبد الجليل تصميم وتصنيع ومعايرة الادوات والاقنعة ونظم القياس اللازمة لبناء وقياس نبائط معدن-شبه موصل-معدن (MIS) وترانزستورات تأثير المجال العضوي(OFET) مختبرياً ودراسة خصائصها الكهربائية، وتم العمل على تحسين خصائصها وتشخيص الافضل منها. اذ خضعت الدراسة الى ىسلسلة من الدراسات التحضيرية والتجريبية والتشخيصية، تم خلالها دراسة تأثير كل من سمك الغشاء ودرجة الحرارة وعملية التشويب للبوليمرين بولي هكسايل ثايوفين (P3HT)وبولي فينايل الكحول (PVA)بنسب مختلفة (1%, 2%, 3%, 4%, 5%) من دقائق الكاربون النانوية CNPs على الصفات التركيبية من خلال اجراء فحوصات حيود الاشعة السينية (XRD) ومجهر القوة الذرية (AFM) عليها، وكذلك دراسة الخصائص الكهربائية والعازلية والبصرية للأغشية الرقيقة المصنعة. واظهرت النتائج تأثير هذه المتغيرات على الخصائص المذكورة. كذلك أسهمت دراسة الخواص العازلية للتركيب(MIS) في توضيح طبيعة تأثير تغيير التردد والجهد المسلط من خلال دراسة ميزتي (C-F) و(C-V) للتركيب (AL/PVA/P3HT/Au).تم دراسة ترانزستور تأثير المجال (PVA/P3HT- OFET) المصنع مختبرياً بتركيب البوابة العليا والتوصيلات السفلى (TG-BC)، ودراسة تأثير طول قناة التوصيل وتغيير سمك كل من الطبقة العازلة والطبقة الفعالة وتشويب كل من الطبقتين بنسب مختلفة(1%, 2%, 3%, 4%, 5%) من CNPs بشكل منفرد ومشترك. واظهر النتائج ان جميع الترانزستورات المصنعة هي من النوع التعزيزي (Enhancement).في حين ان الترانزستور الافضل في دراستنا كان عند طول قناة L=60µm وعرضها W=1mmوعند نسب التشويب(P3HT +5%CNPs, PVA+2%CNPs)، والذي يمتلك المعاملات الكهربائية الاتية:(µsat =2.46x10-1 cm2/Vs), (Vth=-1.4 V), (Ion/Ioff=116), (Rch=1.77 MΩ).