نشر الاستاذ الدكتور جبار منصور خلف التدريسي في قسم الفيزياء في كلية التربية للعلوم الصرفة في جامعة البصرة وطالب الدكتوراه حسن ابراهيم عسكر بحثا بعنوان  

A study half-metallic surfaces of the full-Heusler Sc₂CrGe compound and the interface of Sc₂CrGe/InSb (111)

في مجلة : Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena

ذات معامل تاثير: 1.957

في دار النشر: Elsevier

وهي ضمن المستوعب: كلارفيت و سكوبس

الملخص:

أظهرت دراستنا أن سبيكة هيوسلر التامة Sc₂CrGe تعرض نصف معدن فيرومغناطيسة بفجوة طاقة تبلغ  eV0.57 وفجوة نصف معدن قدرها  eV0.12 في قناة البرم ذات الأغلبية عند ثابت شبيكة الاتزان الذي يبلغ Å 6.5. في هذه الدراسة، قمنا بالتحقيق على نطاق واسع في الخصائص الإلكترونية والمغناطيسية للأسطح (111) و (001) و (110) والحدود الفاصلة مع أشباه الموصلات InSb (111)  من خلال تطبيق حسابات المبادئ الأولى لنظرية الكثافة الوظيفية. تؤكد كثافة الحالات أن خاصية نصف المعدن المُكتشفة في الحجم Sc₂CrGe يتم الاحتفاظ بها عند النهاية Sc(2)Ge- من السطح (001) و عند النهايتين Sc (1) - و Ga- من السطح (111) ،  ولكنها تُدمر عند النهايتين Sc(2)- و Cr من السطح (111) و عند النهاية Sc(2)Cr-  من السطح (001) و عند النهاية Sc₂CrGe- من السطح (110). بالنسبة للحد الفاصل Sc₂CrGe/InSb فان نصف المعدن يتحطم عند الترتيبات:  Ge-In  وSc(1)-In و Sc(1)-Sb بينما التركيب Ge-Sb يظُهر استقطاب برم تام. علاوة على ذلك تعُرض طاقة الالتصاق ان التركيب Sc(1)-Sb هو اكثر استقراراً من التراكيب الأخرى. العزم المغناطيسي المحسوب لذرات الحد الفاصل (Sc و Ge) تقل مقارنة بقيم الحجم المقابلة لها.